美光公司日前开始量产其32层(32L)3DNAND快闪记忆体,包括该元件的首批商用下游产品之一是Crucial750GBSATA2.5寸固态硬碟(SSD)。如图1右图,这款产品的倒数加载/载入速度分别低约每秒530MB与每秒510MB;其功耗较一般硬碟驱动器(HDD)提高了90倍,据信也更为轻巧。 CrucialSSD的售价为200美元,这使其沦为笔记型电脑应用于最不具吸引力的选项,而且我们找到有更加多的电脑设备开始利用SSD代替传统HDD。
HDD或许将渐渐被市场所出局,不过必需否认的是各家涉及厂商仍致力于使其创意,而且HDD的成本仍较SSD更加便宜。因此,我们预计在短期之内,HDD仍将在市场上占有主导地位。 图1:美光CrucialCT750MX300SSD1750GBSSD 图2右图为Crucial750GBSSD的正面与背面电路板报废图,可以看见其中包括8个美光NAND快闪记忆体PCB。这一数量相等于TechInsights在三星(Samsung)T32TBSSD中找到4个48层(48L)3DNANDPCB数量的两倍。
因此,从PCB数的角度来看,三星在每PCB中的记忆体容量依然占有优势。但从晶片层来看否某种程度领先于美光? 图2:使用美光3DNAND的CrucialSSD产品正面与背面电路板图 三星方面早已需要在每个NANDPCB中加到16块晶片了,如图3右图。
这意味著每块面积为99.8平方毫米的晶片可获取32GB储存容量,或者折算为每平方毫米大约320MB。 Crucial750GBSSD中包括8块美光的PCB,其中单一PCB可容纳2块晶片,面积为165平方毫米。这意味著该记忆体的储存密度为284MB/mm2,高于三星的320MB/mm2。
不过三星的仅次于优势在于其48层结构以及20奈米(nm)半位元线间距,相形之下,美光的40nm半位元线间距更加牢固。 或许我们应当用三星在此之前发售的32层(32L)V-NAND展开较为,该系列产品公布于2014年,某种程度使用20nm半位元线间距生产。
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